Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SCTWA50N120

STMicroelectronics SCTWA50N120

Numero di parte
SCTWA50N120
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH SICFET 1.2KV HIP247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 1019 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    12.62700/pcs

  • 600 pcs

    12.62700/pcs
Totale:12.62700/pcsUnit Price:
12.62700/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSCTWA50N120
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 400V
Vgs (massimo)+25V, -10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)318W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs69 mOhm @ 40A, 20V
temperatura di esercizio-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreHiP247™
Pacchetto / casoTO-247-3
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