stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum
| Numero de parte | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 65A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 318W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | HiP247™ |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH SICFET 1.2KV HIP247
En stock: 0
