Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln SCTWA50N120

STMicroelectronics SCTWA50N120

Artikelnummer
SCTWA50N120
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH SICFET 1.2KV HIP247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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12.62700/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSCTWA50N120
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C65A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs122nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 400V
Vgs (Max)+25V, -10V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)318W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs69 mOhm @ 40A, 20V
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketHiP247™
Paket / FallTO-247-3
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