Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln SCTWA30N120

STMicroelectronics SCTWA30N120

Artikelnummer
SCTWA30N120
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSCTWA30N120
TeilstatusActive
FET Typ-
Technologie-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs-
Betriebstemperatur-
Befestigungsart-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-
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