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| Número da peça | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 318W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | HiP247™ |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Em estoque: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Em estoque: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Em estoque: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH SICFET 1.2KV HIP247
Em estoque: 0
