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| 部品番号 | SCTWA50N120 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 122nC @ 20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900pF @ 400V |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 318W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
