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| 부품 번호 | SCTWA50N120 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Vgs (최대) | +25V, -10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 318W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | HiP247™ |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
