Koti Tuoteseloste Diskreetti puolijohde Transistorit - FETit, MOSFETit - Single SCTWA50N120

STMicroelectronics SCTWA50N120

Osa numero
SCTWA50N120
Valmistaja
STMicroelectronics
Kuvaus
MOSFET N-CH SICFET 1.2KV HIP247
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Perhe
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
STMicroelectronics

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

Varastossa $ Määrä kpl
  • Viitehinta

    (Yhdysvaltain dollareina)
  • 1 pcs

    12.62700/pcs
  • 600 pcs

    12.62700/pcs
Kaikki yhteensä:12.62700/pcs Unit Price:
12.62700/pcs
Tavoitehinta:
Määrä:
Tuoteparametri
Osa numero SCTWA50N120
Osan tila Active
FET-tyyppi N-Channel
tekniikka SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) 1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 20V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 400V
Vgs (Max) +25V, -10V
FET-ominaisuus -
Tehonsyöttö (maksimi) 318W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 40A, 20V
Käyttölämpötila -55°C ~ 200°C (TJ)
Asennustyyppi Through Hole
Toimittajan laitepaketti HiP247™
Pakkaus / kotelo TO-247-3
Liittyvät tuotteet
SCTWA20N120

Valmistaja: STMicroelectronics

Kuvaus: IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Varastossa: 0

RFQ 4.63275/pcs
SCTWA10N120

Valmistaja: STMicroelectronics

Kuvaus: IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Varastossa: 0

RFQ 3.79900/pcs
SCTWA50N120

Valmistaja: STMicroelectronics

Kuvaus: MOSFET N-CH SICFET 1.2KV HIP247

Varastossa: 0

RFQ 12.62700/pcs
SCTWA30N120

Valmistaja: STMicroelectronics

Kuvaus: IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Varastossa: 0

RFQ 9.66000/pcs