Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SCTWA10N120

STMicroelectronics SCTWA10N120

Numero di parte
SCTWA10N120
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 3398 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    3.79900/pcs

  • 600 pcs

    3.79900/pcs
Totale:3.79900/pcsUnit Price:
3.79900/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSCTWA10N120
Stato parteActive
Tipo FET-
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-
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