Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT150GT120JR

Microsemi Corporation APT150GT120JR

Artikelnummer
APT150GT120JR
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • 1 pcs

    26.89000/pcs

  • 10 pcs

    25.14550/pcs

  • 25 pcs

    23.25600/pcs

  • 100 pcs

    21.80250/pcs
Gesamt:26.89000/pcsUnit Price:
26.89000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT150GT120JR
TeilstatusActive
IGBT-TypNPT
AufbauSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)170A
Leistung max830W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)150µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce9.3nF @ 25V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®
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