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| Numéro d'article | APT150GT120JR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 170A |
| Puissance - Max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 150µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 21
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 96
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 19
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 16
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 15
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
En stock: 29
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
