Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - IGBTs - Módulos APT150GT120JR

Microsemi Corporation APT150GT120JR

Número da peça
APT150GT120JR
Fabricante
Microsemi Corporation
Descrição
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - IGBTs - Módulos
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

Em estoque $ Quantidade pcs

  • Preço de referência

    (Em dólares americanos)

  • 1 pcs

    26.89000/pcs

  • 10 pcs

    25.14550/pcs

  • 25 pcs

    23.25600/pcs

  • 100 pcs

    21.80250/pcs
Total:26.89000/pcsUnit Price:
26.89000/pcs		Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peçaAPT150GT120JR
Status da ParteActive
Tipo IGBTNPT
ConfiguraçãoSingle
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)1200V
Current - Collector (Ic) (Max)170A
Power - Max830W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)150µA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce9.3nF @ 25V
EntradaStandard
Termistor NTCNo
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote / CasoISOTOP
Pacote de dispositivos de fornecedoresISOTOP®
produtos relacionados
APT150GN120J

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Em estoque: 21

RFQ20.16500/pcs
APT150GN120JDQ4

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Em estoque: 96

RFQ27.93000/pcs
APT150GN60B2G

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Em estoque: 19

RFQ10.65000/pcs
APT150GN60J

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Em estoque: 16

RFQ14.89000/pcs
APT150GN60JDQ4

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Em estoque: 15

RFQ17.95000/pcs
APT150GN60LDQ4G

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Em estoque: 0

RFQ11.62520/pcs
APT150GT120JR

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Em estoque: 29

RFQ26.89000/pcs
APT15D100BCTG

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Em estoque: 0

RFQ2.10773/pcs
APT15D100BG

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Em estoque: 14

RFQ1.84500/pcs
APT15D100BHBG

Fabricante: Microsemi Corporation

Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Em estoque: 0

RFQ-