Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - IGBT - Módulos APT150GT120JR

Microsemi Corporation APT150GT120JR

Numero de parte
APT150GT120JR
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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En Stock $ Cantidad de piezas

  • Precio de referencia

    (En dólares estadounidenses)

  • 1 pcs

    26.89000/pcs

  • 10 pcs

    25.14550/pcs

  • 25 pcs

    23.25600/pcs

  • 100 pcs

    21.80250/pcs
Total:26.89000/pcsUnit Price:
26.89000/pcs		Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parteAPT150GT120JR
Estado de la piezaActive
Tipo de IGBTNPT
ConfiguraciónSingle
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)1200V
Current - Collector (Ic) (Max)170A
Potencia - Max830W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 150A
Corriente - corte de colector (máximo)150µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce9.3nF @ 25V
EntradaStandard
Termistor NTCNo
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete / cajaISOTOP
Paquete de dispositivo del proveedorISOTOP®
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