provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT150GT120JR |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | NPT |
| kokoonpano | Single |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 1200V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 170A |
| Teho - Max | 830W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 150µA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| panos | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | ISOTOP |
| Toimittajan laitepaketti | ISOTOP® |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
Varastossa: 14
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Varastossa: 19
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Varastossa: 96
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Varastossa: 29
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Varastossa: 21
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Varastossa: 16
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Varastossa: 15
