Numéro d'article | APT150GN60JDQ4 |
---|---|
État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 220A |
Puissance - Max | 536W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 50µA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 9.2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | ISOTOP |
Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 21
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 96
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 19
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 16
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 15
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
En stock: 29
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0