Artikelnummer | APT150GN60JDQ4 |
---|---|
Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 220A |
Leistung max | 536W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 50µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.2nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | ISOTOP |
Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Auf Lager: 21
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Auf Lager: 96
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Auf Lager: 19
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Auf Lager: 16
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Auf Lager: 29
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
Auf Lager: 14
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Auf Lager: 0