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| Artikelnummer | APT15D100BCTG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 15A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 260ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 1000V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Auf Lager: 21
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Auf Lager: 0
