Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMNH10H028SCT

Diodes Incorporated DMNH10H028SCT

Número da peça
DMNH10H028SCT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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    0.56595/pcs
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Total:0.79500/pcsUnit Price:
0.79500/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peçaDMNH10H028SCT
Status da ParteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31.9nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1942pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
FET Feature-
Dissipação de energia (máx.)2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos de fornecedoresTO-220AB
Pacote / CasoTO-220-3
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