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| Artikelnummer | DMNH10H028SCT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1942pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Auf Lager: 22
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Auf Lager: 5000
