ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル DMNH10H028SCT

Diodes Incorporated DMNH10H028SCT

部品番号
DMNH10H028SCT
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

diodes incorporated is a leading global manufacturer and supplier of high-quality application specific standard products within the broad discrete and analog semiconductor markets.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    0.79500/pcs
  • 50 pcs

    0.64680/pcs
  • 100 pcs

    0.56595/pcs
  • 500 pcs

    0.43890/pcs
  • 1,000 pcs

    0.34650/pcs
合計:0.79500/pcs Unit Price:
0.79500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 DMNH10H028SCT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 31.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1942pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 28 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
関連製品
DMNH10H028SPSQ-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

在庫あり: 5000

RFQ 0.48516/pcs
DMNH10H028SCT

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

在庫あり: 22

RFQ 0.79500/pcs
DMNH10H028SK3Q-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

在庫あり: 0

RFQ 0.43470/pcs
DMNH10H028SK3-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

在庫あり: 0

RFQ 0.32200/pcs
DMNH10H028SPS-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

在庫あり: 0

RFQ 0.31395/pcs