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| Numero de parte | DMNH10H028SCT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31.9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1942pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
En stock: 22
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
En stock: 5000
