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| Numero di parte | DMNH10H028SCT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1942pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Disponibile: 22
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Disponibile: 5000
