部品番号 | IPB60R950C6 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.4A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 130µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 13nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 280pF @ 100V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 37W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-2 |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
在庫あり: 2000
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
在庫あり: 0