Infineon Technologies IPB60R950C6

Numéro d'article: IPB60R950C6
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Prix de référence
(En dollars américains)
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10 pcs
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100 pcs
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0.65500/pcs

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Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IPB60R950C6
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-2
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB