Infineon Technologies IPB60R950C6

Número da peça: IPB60R950C6
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto

Número da peça	IPB60R950C6
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	4.4A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 1.5A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO263-2
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB