Infineon Technologies IPB60R950C6

Numero di parte: IPB60R950C6
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
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10 pcs
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100 pcs
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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IPB60R950C6
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB