Infineon Technologies IPB60R950C6

Numero de parte: IPB60R950C6
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
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10 pcs
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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPB60R950C6
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 1.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-2
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB