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| 部品番号 | IPB60R099C7ATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 490µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 42nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1819pF @ 400V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 110W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 99 mOhm @ 9.7A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
| パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
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