Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT45GP120JDQ2

Microsemi Corporation APT45GP120JDQ2

Numero di parte
APT45GP120JDQ2
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 641 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    20.44500/pcs

  • 10 pcs

    19.11950/pcs

  • 25 pcs

    17.68280/pcs

  • 100 pcs

    16.57755/pcs

  • 250 pcs

    15.47238/pcs
Totale:20.44500/pcsUnit Price:
20.44500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT45GP120JDQ2
Stato parteActive
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)75A
Potenza - Max329W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 45A
Corrente - Limite del collettore (max)750µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®
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