| Artikelnummer | APT45GP120JDQ2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 75A |
| Leistung max | 329W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 750µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Auf Lager: 348
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 100A 625W TO247
Auf Lager: 57
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 92A 357W TO-247
Auf Lager: 62
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
Auf Lager: 0