| Número da peça | APT45GP120JDQ2 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Configuração | Single |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Power - Max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 750µA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | ISOTOP |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Em estoque: 348
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 100A 625W TO247
Em estoque: 57
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 650V 92A 357W TO-247
Em estoque: 62
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
Em estoque: 0