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| Numero de parte | APT45GP120JDQ2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | PT |
| Configuración | Single |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Potencia - Max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 750µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | ISOTOP |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
En stock: 348
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 100A 625W TO247
En stock: 57
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 650V 92A 357W TO-247
En stock: 62
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
En stock: 0
