Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT45GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation APT45GP120B2DQ2G

Numero di parte
APT45GP120B2DQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 870 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    11.05500/pcs

  • 10 pcs

    10.22400/pcs

  • 25 pcs

    9.39480/pcs

  • 100 pcs

    8.73165/pcs

  • 250 pcs

    8.01322/pcs
Totale:11.05500/pcsUnit Price:
11.05500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT45GP120B2DQ2G
Stato parteActive
Tipo IGBTPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)113A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)170A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 45A
Potenza - Max625W
Cambiare energia900µJ (on), 905µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello185nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C18ns/100ns
Condizione di test600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore-
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