provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT60GA60JD60 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | PT |
| kokoonpano | Single |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 600V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 112A |
| Teho - Max | 356W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 275µA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
| panos | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | SOT-227-4, miniBLOC |
| Toimittajan laitepaketti | ISOTOP® |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Varastossa: 4
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Varastossa: 2
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Varastossa: 3
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Varastossa: 15
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Varastossa: 25
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Varastossa: 375
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Varastossa: 0
