Numero di parte | APT60GA60JD60 |
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Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 112A |
Potenza - Max | 356W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 275µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Disponibile: 2
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Disponibile: 15
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Disponibile: 25
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Disponibile: 375
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Disponibile: 0