Número da peça | APT60GA60JD60 |
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Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configuração | Single |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 600V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 112A |
Power - Max | 356W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 275µA |
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Em estoque: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Em estoque: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Em estoque: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Em estoque: 25
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Em estoque: 375
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Em estoque: 0