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| Numéro d'article | APT60GA60JD60 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 112A |
| Puissance - Max | 356W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 275µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
En stock: 4
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
En stock: 2
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 15
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 25
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
En stock: 375
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
En stock: 0
