Artikelnummer | APT60GA60JD60 |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | PT |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 112A |
Leistung max | 356W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 275µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 25
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Auf Lager: 375
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Auf Lager: 0