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| Número da peça | APT50GP60JDQ2 |
|---|---|
| Status da Parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | PT |
| Configuração | Single |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Power - Max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 525µA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 5.7nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Em estoque: 32
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
Em estoque: 63
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
Em estoque: 23
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Em estoque: 49
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Em estoque: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
Em estoque: 83
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
Em estoque: 69
