Número da peça | APT5012JN |
---|---|
Status da Parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 370nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 520W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 21.5A, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Pacote / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 0