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| Número da peça | APT100GN60LDQ4G |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 229A |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Power - Max | 625W |
| Mudança de energia | 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | 600nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 31ns/310ns |
| Condição de teste | 400V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-264 [L] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Em estoque: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Em estoque: 30
