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| Artikelnummer | APT100GN60LDQ4G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 229A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 300A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Leistung max | 625W |
| Energie wechseln | 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 600nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 31ns/310ns |
| Testbedingung | 400V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Auf Lager: 30
