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| Numéro d'article | APT100GN60LDQ4G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 229A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Puissance - Max | 625W |
| Échange d'énergie | 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 600nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 31ns/310ns |
| Condition de test | 400V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
| Package de périphérique fournisseur | TO-264 [L] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30
