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| Numero di parte | APT100GN60LDQ4G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 229A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Potenza - Max | 625W |
| Cambiare energia | 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 600nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 31ns/310ns |
| Condizione di test | 400V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 14
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Disponibile: 7
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Disponibile: 30
