Infineon Technologies BSB014N04LX3 G

Número da peça: BSB014N04LX3 G
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Número da peça	BSB014N04LX3 G
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	36A (Ta), 180A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	196nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / Caso	3-WDSON