Infineon Technologies BSB014N04LX3 G

Osa numero: BSB014N04LX3 G
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.42428/pcs
5,000 pcs
0.42428/pcs

Kaikki yhteensä:0.42428/pcs

Unit Price:

0.42428/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	BSB014N04LX3 G
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	36A (Ta), 180A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	196nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Käyttölämpötila	-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajan laitepaketti	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakkaus / kotelo	3-WDSON