Infineon Technologies BSB014N04LX3 G

Numero de parte: BSB014N04LX3 G
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Numero de parte	BSB014N04LX3 G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	36A (Ta), 180A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	196nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / caja	3-WDSON