ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BSB014N04LX3 G

Infineon Technologies BSB014N04LX3 G

部品番号
BSB014N04LX3 G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 BSB014N04LX3 G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 36A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 196nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 16900pF @ 20V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース 3-WDSON
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