Infineon Technologies BSB014N04LX3 G

Numero di parte: BSB014N04LX3 G
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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Numero di parte	BSB014N04LX3 G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	36A (Ta), 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	196nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso	3-WDSON