Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTCV60HM45RT3G

Microsemi Corporation APTCV60HM45RT3G

Numero di parte
APTCV60HM45RT3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 17 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    38.30500/pcs

  • 100 pcs

    26.59030/pcs
Totale:38.30500/pcsUnit Price:
38.30500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTCV60HM45RT3G
Stato parteActive
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneFull Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)50A
Potenza - Max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.15nF @ 25V
IngressoSingle Phase Bridge Rectifier
Termistore NTCYes
temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3
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